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『壹』 IBC太陽能電池的介紹

IBC(Interdigitated back contact)電池出現於20世紀70年代，是最早研究的背結電池，最初主要應用於聚光系統中，見圖l。電池選用n型襯底材料，前後表面均覆蓋一層熱氧化膜，以降低表面復合。利用光刻技術，在電池背面分別進行磷、硼局部擴散，形成有指狀交叉排列的P區、N區，以及位於其上方的P+區、n+區。重擴形成的P+和N+區可有效消除高聚光條件下的電壓飽和效應。此外，P+和N+區接觸電極的覆蓋面積幾乎達到了背表面的1/2，大大降低了串聯電阻。IBC電池的核心問題是如何在電池背面制備出質量較好、呈叉指狀間隔排列的P區和N區。為避免光刻工藝所帶來的復雜操作，可在電池背面印刷一層含硼的叉指狀擴散掩蔽層，掩蔽層上的硼經擴散後進入N型襯底形成P+區，而未印刷掩膜層的區域，經磷擴散後形成N+區。通過絲網印刷技術來確定背面擴散區域成為目前研究的熱點。

『貳』 什麼是HIT太陽能電池，它的構造及特性

採用HIT結構的硅太陽能電池，所謂HIT()結構就是在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本徵)氫化非晶硅薄膜,採取該工藝措施後,改變了PN結的性能。因而使轉換效率達到20·7%,開路電壓達到719mV,並且全部工藝可以在200℃以下實現。

其結構如下：

『叄』 IBC電池的缺點

全背電極接觸晶硅太陽電池，簡稱「IBC電池」。IBC（Interdigitated back contact）。
是將正負兩極金屬接觸均移到電池片背面的技術，可使面朝太陽的電池片正面呈全黑色，完全看不到多數太陽電池正面呈現的金屬線，不僅為使用者帶來同等面積更大的發電效率，且看上去更美觀。

『肆』 單晶156.75與M2怎麼區分

這些年，光伏技術一直在快速地發展，電池方面高效PERC，雙面電池、黑硅等技術陸續投入大批量生產，N型與異質結技術也開始有一定市場份額；組件方面雙玻、半片、多主柵、疊瓦等技術也進入大規模產業化階段。 我們再看來單晶矽片方面，除了在拉晶、切片等環節取得很多技術突破（如多次拉晶技術、金剛線切割技術等）之外，另一個值得關注的現象就是單晶矽片的尺寸存在著變大的趨勢。

在2010年之前，單晶矽片主要以對邊距125mm(硅棒直徑f164mm)的小尺寸矽片為主，並有少量對邊距156mm(f200mm)的矽片，2010年後，156mm矽片的比例越來越大，並成為行業主流，125mm的P型矽片在2014年前後基本被淘汰，基本僅應用於一些IBC電池與HIT電池的組件

『伍』 HIT電池生產流程

HIT電池簡介
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫,意為本徵薄膜異質結. HIT太陽能電池是以光照射側的p/i型a-Si膜（膜厚5～10nm）和背面側的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夾住單結晶Si片的來構成的.
圖一.

電池基板以硅基板為主；在硅基板上沉積高能隙 (Energy band gap)的硅奈米薄膜，表層再沉積透明導電膜，背表面有著背表面電場。
通過優化硅的表面織構，可以降低透明導電氧化層（TCO）和a-Si層的光學吸收損耗。HIT電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增強n型c-Si的光吸收率。

圖二.

HIT電池在技術上的優勢
由於HIT太陽能電池使用a-Si構成pn結，所以能夠在200℃以下的低溫完成整個工序。和原來的熱擴散型的結晶太陽電池的形成溫度（～900℃）相比較，大幅度地降低了製造工藝的溫度。由於這種對稱構造和低溫工藝的特徵，減少了因熱量或者膜形成時產生的Si晶片的變形和熱損傷，對實現晶片的輕薄化和高效化來說是有利的，具有業界領先的高轉換效率（研究室水平為23％，量產水平為20％），即使在高溫下，轉換效率也極少降低，利用雙面單元來提高發電量。
HIT電池的伏安曲線分析:
HIT電池裡p/n 異質結中所發現的正向電流特性（0.4V 附近）的變化是由於a-Si 頂層膜中存在的高密度間隙態，引起異質結部耗盡層的再復合而造成的。對此，在頂層和結晶Si之間插入高質量a-Si 膜（i 型a-Si 膜），通過頂層內的電場來抑制復合電流，這就是HIT 構造。通過導入約5nm 左右的薄膜i 型a-Si 層，可看到反向的飽和電流密度降低了約2個數量級。亦即通過導入i 型a-Si 層，能夠大幅度提高Voc,見下圖.
圖三

化學鈍化和HIT 構造的壽命關系
採用μ-PCD 法測定HIT電池的少子壽命。μ-PCD 法得到的壽命值雖然同時反映了體復合速度和表面復合速度兩方面，但由於是在同一批（LOT）里抽出相鄰的晶元，所以可認為體（BULK）的影響基本相同，所不同的是表面的差異。根據下圖可以發現，HIT 構造的鈍化性能要比化學鈍化（CP 法）更優異。
圖四

化學鈍化
HIT 太陽能電池的Voc 和壽命之間的依存性
發現通過形成低損傷的a-Si膜和提高表面的清凈度等可以提高壽命和Voc，Voc 和壽命之間是一種正的線性關系。即HIT構造中的a-Si 鈍化性能的好壞和HIT 太陽電池的Voc 大小相關。所以，通過提高a-Si 的鈍化性能以提高壽命的方法可以認為對提高HIT 太陽電池的輸出電壓是有效的。
圖五

HIT電池單晶體硅的表面清潔度更高，同時抑制了非晶硅層形成時對單晶體硅表面產生的損傷。通過這些改良，這種電池的電能輸出功率損失下降，開路電壓得到了提高。

HIT 太陽電池優異的溫度特性
HIT電池Voc越高輸出特性的溫度依存性越小。也就是說，在HIT 太陽電池的高效率化技術中的這種鈍化技術的開發（即高Voc 化）帶來了溫度特性的提高.由於新電池在溫度上升時發電量的損失降低，預計它的年發電量將比傳統晶硅太陽能電池提升44%。
圖六

HIT電池的製造工藝
HIT電池的關鍵技術是a-Si:H薄膜的沉積，要求說沉積的本徵a-Si:H薄膜的缺陷態密度低，摻雜a-Si:H的摻雜效率高且光吸收系數低，最重要的是最終形成的a-Si:H/Si界面的態密度要低。目前，普遍採用的等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）沉積本徵及摻雜的a-Si:H膜，同時熱絲化學氣相沉積發（HWCVD）制備a-Si:H法也被認為很有前景。
PECVD法制備a-Si:H薄膜
利用等離子里中豐富的活性粒子來進行低溫沉積一直是a-Si:H制備的重要方法。在真空狀態下給氣體施加電場，氣體在電場提供的能量下會有氣態轉變為等離子體狀態。其中含有大量的電子、離子、光子和各類自由基等活性粒子。等離子體是部份離子化的氣體，與普通氣體相比，主要性質發生了本質的變化，是一種新物質聚集態。等離子體中放置其中的襯底可以保持在室溫，而電子在電廠的激發下會得到足夠多的能量（2-5eV），通過與分子的碰撞將其電離，激發。PECVD的缺點表現在兩個方面，一是它的不穩定性，二是電子和離子的輻射會對所沉積的薄膜構成化學結構上的損傷。等離子體作為准中性氣體，它的狀態容易被外部條件的改變而發生變化。襯底表面的帶電狀態，反應器壁的薄膜附著，電源的波動，氣體的流速都會改變活性粒子的種類和數量，並且等離子體的均勻性也難以控制，這樣都會改變襯底的狀態。等離子體中的離子轟擊和光子輻照，除了會影響沉積膜的質量，還會影響下面的硅襯底。光譜相應的研究結果表明對於藍光區，HIT電池的光譜相應提高，而在紅光區，光譜相應變低。這說明對於本徵層的鈍化效果提高了藍光光譜響應的結果，而對於矽片內部的損傷，則對紅光部分，光譜相應降低，量子效率下降。對於這種情況，可以下調等離子體的功率，但是同時也會降低等離子體的穩定性。

HWCVD制備a-Si:H薄膜
熱絲化學氣相沉積HWCVD是利用熱絲對氣體進行催化和分解的軟性過程，不會產生高能粒子轟擊，對襯底的損傷較小，可以容易的移入或者移出沉積室，能夠方便從實驗室轉換到生產線上。
在HIT電池中，非晶硅發射極和晶體硅之間夾著5納米後，缺陷密度低於非晶硅的本徵非晶硅薄膜。HWCVD的缺點在於非晶硅的外延可以穿透5納米後的本徵薄膜而與晶體硅直接接觸，這樣會導致高缺陷，這樣界面面積和缺陷態密度的增大會導致高的暗電流，繼而開路電壓也會減低。在制備中將溫度控制在200度以下能夠抑制非晶硅的外延。

HIT電池工藝的改良方向
提高界面鈍化效果
當非晶硅和晶體硅的界面陷阱密度由10^11每平方厘米上升到10^12每平方厘米時，電池效率會降低20%。本徵非晶硅的鈍化效果由於a-Si:H薄膜的存在而變差，這可能是襯底中的少子波函數穿過本徵非晶硅而和a-Si:H薄膜中的缺陷態相互作用，這樣構成了載流子的復合通道。可以使用多形硅來作為鈍化層，因為它具有更低的缺陷態密度和暗電流。
光陷結構和表面清洗
將制絨後的織構表面層使用硫酸和雙氧水進行氧化，然後使用使用濃度為1%的氫氟酸進行60到180秒的腐蝕，這樣可以去除缺陷層來使粗糙度降低，接近拋光硅的效果。
柵電極的優化設計
如果可以去除柵線的延展部分，縱橫比提高1.0以後，效率可以在提高1.6%。這取決於對於銀漿的流變學研究和絲網印刷的改進。

『陸』 HIT電池是什麼

HIT中文名為異質結電池，全稱為「晶體硅異質結太陽能電池」，是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，綜合了晶體硅電池與薄膜電池的優勢，是高轉換效率硅基太陽能電池的重要發展方向之一。

異質結電池具有工藝流程短、工序少、無光致衰減等優點，光電轉換效率高、性能優異、降成本空間大，平價上網前景好，是行業公認的未來電池技術解決方案。（參見華夏能源網最新報道）

近年來，我國異質結電池產能建設明顯加速，據統計，國內異質結規劃產能為24.5GW，其中，已建成約1.07GW。據新版國際光伏技術路線圖（ITRPV）預測，HIT市場份額將從2018年的3%增長至2025年的10%，預計2028年達到28%。

『柒』 光伏技術創新有哪些規劃

1）集中攻關類
G27)新型高效低成本光伏發電關鍵技術
研究目標：研製出新型高效低成本光伏電池，突破大型光伏電站設計集成和運行維護關鍵技術，掌握GW級光伏電站集群控制技術。
研究內容：主要開展包括碲化鎘、銅銦鎵硒薄膜、硅薄膜等太陽能電池產業化技術研發、大面積柔性硅基薄膜電池組件的規模化生產工藝研發，以及Ⅲ-Ⅴ族化合物電池、鐵電-半導體耦合電池及鐵電-半導體耦合/晶體硅疊層電池、鈣鈦礦電池、染料敏化電池、量子點電池、新型疊層電池、硒化銻電池、銅鋅錫硫電池等新型電池的研究和探索，著力提高效率和降低成本；研究多類型分布式光伏系統設計集成技術及示範，開展大型光伏電站及光伏發電站集群的設計、控制、運維及並網技術研究。
起止時間：2016-2020年
S20)大型太陽能熱發電關鍵技術研究與示範
研究目標：突破100MW級太陽能熱電聯供電站關鍵技術，掌握中高溫固體儲熱技術，實現太陽熱發電站的全天候運行。
研究內容：研究大型太陽能熱發電及熱電聯供電站設計技術與關鍵部件設計製造技術，研究太陽能熱電聯供高效梯級利用技術，研究大容量熔融鹽儲熱及儲熱混凝土和儲熱陶瓷、多模塊固體儲熱系統集成與優化運行技術。
起止時間：2016-2025年
T15)高效、低成本晶體硅電池產業化關鍵技術研發及應用
研究目標：實現HIT、IBC等電池國產化，晶體硅電池效率≥23%，建成HIT電池和IBC電池的25MW示範生產線。
研究內容：開展低成本晶體硅電池國產化技術攻關，包括關鍵材料、工藝、裝備以及配套輔材的國產化；進行HIT太陽能電池產業示範線關鍵技術研究和示範，進行IBC電池產業示範線研究，並實現規范化、產業化；掌握產業化高透太陽能電池用玻璃制備技術。
起止時間：2016-2020年
T21)多能互補分布式發電和微網應用推廣
研究目標：實現智能化分布式光伏應用、光伏微電網互聯、交直流混合微電網以及多能互補微網統一能量管理等的工程示範和推廣應用。
研究內容：掌握區域性高比例分布式光伏發電設計集成、直流並網、功率預測及智能化技術，研究微電網內的儲能系統及風、光、柴、水、燃氣輪機等微電源標准通信交互模型，研發基於微電網標准化信息模型的微電網監控平台，形成典型的微電網網路結構和信息流設計實用範例研究微電網通信網路架構和通信方式，實現微電網標准化、模塊化集成。
起止時間：2016-2020年
2）示範試驗類
S46)光伏組件用高分子材料開發及應用
研究目標：形成具有自主知識產權的系列光伏用高分子材料製造技術，實現項目產品在光伏發電上大規模應用。
研究內容：研究耐老化、耐紫外的功能聚酯切片合成配方及工藝；研究模塊化功能（抗老化、抗紫外、導熱、阻燃等）薄膜相關配方與工藝，研發新一代光伏背板基膜材料；研究PVB合成及膠膜工藝、聚苯醚改性配方、支架高分子材料改性等；開發包括多種功能聚酯切片、組裝式功能背板薄膜及其製造技術、PVB及其膠膜材料（替代進口）、光伏電池的長壽命接線盒材料、光伏電池模組支架專用材料，形成具有自主知識產權的系列光伏用高分子材料製造技術，實現項目產品在光伏發電上大規模應用。
起止時間：2016-2020年
S47)晶硅太陽能電池的銀電極漿料技術
研究目標：研製出印刷性能優良、低歐姆接觸界面、可焊性好和附著力強的銀電極漿料，形成產業化示範，替代銀電極漿料進口。
研究內容：研究銀電極漿料流變性能和電極/晶硅界面特性、產業化生產技術與品質控制技術，研製出印刷性能優良、低歐姆接觸界面、可焊性好和附著力強的銀電極漿料，降低晶硅太陽能電池組件生產成本；研究大絨面制備及拋光添加劑並進行示範應用；研究硅基低溫銀漿的原理、配方設計與應用性能評估，獲得高性能低溫銀漿的配方，形成產業示範。
起止時間：2016-2020年

『捌』 會計專業的IBC是什麼

IBC（Interdigitated back contact指交叉背接觸）電池，是指電池正面無電極，正負兩極金屬柵線呈指狀交叉排列於電池背面。IBC電池最大的特點是PN結和金屬接觸都處於電池的背面，正面沒有金屬電極遮擋的影響因此具有更高的短路電流Jsc，同時背面可以容許較寬的金屬柵線來降低串聯電阻Rs從而提高填充因子FF；加上電池前表面場（Front Surface Field,FSF）以及良好鈍化作用帶來的開路電壓增益，使得這種正面無遮擋的電池不僅轉換效率高，而且看上去更美觀，同時，全背電極的組件更易於裝配。IBC電池是目前實現高效晶體硅電池的技術方向之一。

IBC電池的概念最早於1975年由Lammert和Schwartz,提出，最初應用於高聚光系統中。經過近四十年的發展，IBC電池在一個太陽標准測試條件下的轉換效率已達到25%，遠遠超過其它所有的單結晶硅太陽電池。表一中列出了近幾年IBC電池技術的研究進展。美國的SunPower公司是產業化IBC電池技術的領導者，他們已經研發了三代IBC電池，最新的MaxeonGen3電池應用145um厚度的N型CZ矽片襯底，最高效率已達25%。SunPower目前擁有年產能為100MW的第三代（Gen3）電池生產線，並且還有年產能350MW的生產線在建。2014年該線生產的電池平均效率已高達23.62%，其中Voc高達724mV，Jsc達40.16mA/cm2，FF達81.5%，電池的溫度系數低至-0.30%/℃，採用IBC電池的光伏組件效率超過21%。在IBC結構上，Sun Power公司的研發遙遙領先，其它研究成果如德國FraunhoferISE的23%，ISFH的23.1%，IMEC的23.3%等等。最近，日本的研發人員將IBC與異質結（HJ）技術相結合，在2014年將晶體硅電池的效率突破到25%以上。其中日本Sharp和Panasonic公司將IBC與HJ技術結合在一起，研發的晶硅多結電池效率分別達到25.1%和25.6%。在2017年已經報道出了26.6%的電池轉換效率。據PVInfoLink介紹，Sun Power量產效率達25%，LG量產效率達24.5%。